| 型號 | 廠商 | 描述 |
| ibis4-6600-m-2 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
Cypress Semiconductor Corp. | High resolution 6.6 M Pixel Rolling shutter CMOS Image sensor |
| ibm0116400b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| ibm0116400m 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| ibm0116400p 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| ibm0116400 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| ibm0164165b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| ibm0164165p 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| ibm0164405b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| ibm0164405p 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| ibm01644f5b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| ibm0165165b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| ibm0165165p 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| ibm0165405b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| ibm0165405p 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| ibm0165805b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| ibm0165805p 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| ibm025160 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
| ibm025161 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
| ibm025170 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
| ibm025171 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
| ibm038329nl6b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 256K x 32 Synchronous Graphics RAM(256K x 32 高性能8M位CMOS同步動態(tài)RAM（帶內(nèi)置的圖形性能）) |
| ibm038329np6b 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 256K x 32 Synchronous Graphics RAM(256K x 32 高性能8M位CMOS同步動態(tài)RAM（帶內(nèi)置的圖形性能）) |
| ibm041812pqkb 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 |
IBM Microeletronics | 64K X 18 BURST SRAM(64K X 18高性能可猝發(fā)同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm041813pplb 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 |
IBM Microeletronics | 64K X 18 BURST PIPELINE SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)流水線式線式高性能靜態(tài)RAM) |
| ibm041813pqkb 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 |
IBM Microeletronics | 64K X 18 Burst Pipeline SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)RAM) |
| ibm041814pplb 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 |
IBM Microeletronics | 64K X 18 BURST SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM) |
| ibm041814pqkb 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 |
IBM Microeletronics | 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a40qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 4Mb( 256K x 18 ) SRAM(4Mb( 256K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a80qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 8Mb( 512K x 18 ) SRAM(8Mb( 512K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a40qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 4Mb( 128K x 36 ) SRAM(4Mb( 128K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a80qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 8Mb( 256K x 36 ) SRAM(8Mb( 256K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a41qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 4Mb (256K x 18) SRAM(4M位 ( 256Kx 18) 同步流水線式高性能CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a81qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 8Mb (512 x 18) SRAM(8M位 ( 512x 18 ) 同步流水線式高性能CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a41qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 4Mb (128K x 36) SRAM(4M位 ( 128Kx 36) 同步流水線式高性能CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a81qlab 2 3 4 5 |
IBM Microeletronics | 8Mb (256K x 36 ) SRAM(8M位 ( 256Kx 36) 同步流水線式高性能CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a4aclab 2 3 4 5 6 |
IBM Microeletronics | 4Mb( 256K x 18 ) SRAM(4Mb( 256K x 18 )寄存器鎖存模式的同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a8aclab 2 3 4 5 6 |
IBM Microeletronics | 8Mb( 512K x 18 ) SRAM(8Mb( 512K x 18 )寄存器鎖存模式的同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a4aclab 2 3 4 5 6 |
IBM Microeletronics | 4Mb( 128K x 36 ) SRAM(4Mb( 128K x 36 )寄存器鎖存模式的同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a8aclab 2 3 4 5 6 |
IBM Microeletronics | 8Mb( 256K x 36 ) SRAM(8Mb( 256K x 36 )寄存器鎖存模式的同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a86lqka 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 |
IBM Microeletronics | 8 Mb Synchronous Communication SRAM(8M位同步流水線式通訊靜態(tài)RAM) |
| ibm0418a86sqka 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 |
IBM Microeletronics | 8 Mb Synchronous Communication SRAM(8M位同步流水線式通訊靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a86lqka 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 |
IBM Microeletronics | 8 Mb Synchronous Communication SRAM(8M位同步流水線式通訊靜態(tài)RAM) |
| ibm0436a86sqka 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 |
IBM Microeletronics | 8 Mb Synchronous Communication SRAM(8M位同步流水線式通信靜態(tài)RAM) |
| ibm043614pqkb 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 |
IBM Microeletronics | 32K X 36 BURST SRAM(1M (32K X 36)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM) |
| ibm11e4480bg 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(4M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊) |
| ibm11d4480bg 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(4M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊) |
| ibm11e4490bg 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(4M x 36動態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯代碼功能）) |
| ibm11d4490bg 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 4M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(4M x 36動態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯代碼功能）) |
| ibm11d8490bg 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(8M x 36動態(tài)RAM模塊（（片上帶糾錯代碼功能）) |
| ibm11e8490bg 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 |
IBM Microeletronics | 8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(8M x 36動態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯代碼功能）) |