參數(shù)資料
型號： IBM0164165P
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）)
中文描述： 4米× 16 13 / 9 EDO公司的DRAM（4米× 16動態(tài)隨機存儲器（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通））
文件頁數(shù)： 4/28頁
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代理商： IBM0164165P
IBM0164165B
IBM0164165P
4M x 16 13/9 EDO DRAM
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88H2012
GA14-4251-02
Revised 11/97
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
Notes
V
CC
Power Supply Voltage
-0.5 to 4.6
V
1
V
IN
Input Voltage
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 4.6)
V
1
V
OUT
Output Voltage
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 4.6)
V
1
T
OPR
Operating Temperature
0 to +70
°
C
1
T
STG
Storage Temperature
-55 to +150
°
C
1
P
D
Power Dissipation
1.0
W
1
I
OUT
Short Circuit Output Current
50
mA
1
1. Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reli-
ability.
Recommended DC Operating Conditions
(TA=0 to 70
°
C)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Notes
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
1
V
IH
Input High Voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.3
V
1,2
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
—
0.8
V
1,2
1. All voltages referenced to V
SS
.
2. V
IH
may overshoot to V
CC
+ 2.0V for pulse widths of
≤
4.0ns with 3.3 Volt. V
IL
may undershoot to -2.0V for pulse widths
≤
4.0ns
with 3.3 Volt. Pulse widths measured at 50% points with amplitude measured peak to DC reference
Capacitance
(TA=0 to +70
°
C, VCC=3.3
±
0.3V, f=1MHz)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Notes
C
I1
Input Capacitance (A0 - A12)
—
5
pF
C
I2
Input Capacitance (RAS, LCAS, UCAS, WE, OE)
—
7
pF
C
I3
Data I/O Capacitance (I/O0 - I/O15)
—
7
pF
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM0164405B 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
IBM0164405P 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
IBM01644F5B 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
IBM0165165B 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0165165P 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM0164405BT3D50 制造商:IBM 功能描述:20L9262
IBM0165165PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3120
IBM0165805BJ3C50 制造商:IBM 功能描述:75H2806
IBM0165805BT3C60 制造商:IBM 功能描述:*
IBM0165805PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3108
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