參數(shù)資料
型號: IBM0164165P
廠商: IBM Microeletronics
英文描述: 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM(超頁面模式讀寫并帶22條地址線,其中13條為行地址選通,9條為列地址選通))
中文描述: 4米× 16 13 / 9 EDO公司的DRAM(4米× 16動態(tài)隨機存儲器(超頁面模式讀寫并帶22條地址線,其中13條為行地址選通,9條為列地址選通))
文件頁數(shù): 22/28頁
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代理商: IBM0164165P
IBM0164165B
IBM0164165P
4M x 16 13/9 EDO DRAM
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88H2012
GA14-4251-02
Revised 11/97
CAS Before RAS Refresh Cycle
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
D
IN
V
IH
V
IL
t
RAS
t
RP
t
RPC
t
CRP
OE
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
Hi-Z
: “H” or “L”
t
OFF
t
OEZ
Hi-Z
t
OED
RC
t
t
CSR
t
WRH
t
WRP
NOTE: Address is “H” or “L”
t
CP
t
CDD
t
CHR
t
RPC
UCAS
LCAS
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM0164405B 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM(超頁面模式并帶24條地址線,其中13條為行地址選通,11條為列地址選通))
IBM0164405P 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM(超頁面模式并帶24條地址線,其中13條為行地址選通,11條為列地址選通))
IBM01644F5B 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM(帶24條地址線,其中13條為行地址選通,11條為列地址選通))
IBM0165165B 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM(超頁面模式讀寫并帶22條地址線,其中12條為行地址選通,10條為列地址選通))
IBM0165165P 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM(超頁面模式讀寫并帶22條地址線,其中12條為行地址選通,10條為列地址選通))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM0164405BT3D50 制造商:IBM 功能描述:20L9262
IBM0165165PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3120
IBM0165805BJ3C50 制造商:IBM 功能描述:75H2806
IBM0165805BT3C60 制造商:IBM 功能描述:*
IBM0165805PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3108