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參數(shù)資料
| 型號： | IBM0116400 |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日的DRAM（1,600位動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 17/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 512K |
| 代理商： | IBM0116400 |
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IBM0116400
IBM0116400B IBM0116400P
4M x 4 12/10 DRAM
IBM0116400M
43G9396
SA14-4203-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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Fast Page Mode Write Cycle
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CWL
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CP
Hi-Z
CAS
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0164165B | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164165P | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164405B | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM0164405P | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM01644F5B | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
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