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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM041812PQKB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 64K X 18 BURST SRAM(64K X 18高性能可猝發(fā)同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64K的X 18爆的SRAM（64K的X 18高性能可猝發(fā)同步的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | IBM041812PQKB |
IBM041812PQKB
64K X 18 BURST SRAM
Preliminary
26H4672
SA14-4663-01
Revised 9/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Block Diagram
Ordering Information
Part Number
Organization
Speed
Leads
Notes
IBM041812PQKB-8
64K x 18
8 ns Access / 12 ns Cycle
100 pin TQFP
IBM041812PQKB-9
64K x 18
9 ns Access / 12 ns Cycle
100 pin TQFP
IBM041812PQKB-10
64K x 18
10 ns Access / 12 ns Cycle
100 pin TQFP
IBM041812PQKB-11
64K x 18
11 ns Access / 12 ns Cycle
100 pin TQFP
6
A0 - A15
Row
Address
Register
Column
Address
Register
Burst
Binary
Counter
Byte
Write
Register
Clear
Byte
Write
Register
Select
Registers
ADSP
CS
A2 - A9
A10 - A15
A0
A1
ADSC
CLK
ADV
WEa
OE
DQ0 -
DQ9 - DQ17
DQ8
WEb
SA0
SA1
CS
CS2
CS2
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PDF描述 |
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