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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM041812PQKB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 64K X 18 BURST SRAM(64K X 18高性能可猝發(fā)同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64K的X 18爆的SRAM（64K的X 18高性能可猝發(fā)同步的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 218K |
| 代理商： | IBM041812PQKB |
IBM041812PQKB
64K X 18 BURST SRAM
Preliminary
26H4672
SA14-4663-01
Revised 9/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 11 of 14
100 Pin TQFP Package Diagram
Note: All dimensions in Millimeters
20.00
±
0.10
22.00
±
0.20
14.00
±
0 .10
16.00
±
0.20
Pin 1 I.D.
6
±
4
1.60 MAX
0.25
0.60 + 0.15/-0.10
0Standoff
Lead Coplanarity
Seating
Plane
0.10 Max
Rad 0.20 Typ
0- 7
12 Typ
12 Typ
1.40
±
0.10
0.05/0.15 (Min/Max)
1.60 Max
0.65 Basic
0.30
±
0.05
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PDF描述 |
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