參數(shù)資料
型號: IBM0164405P
廠商: IBM Microeletronics
英文描述: 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM(超頁面模式并帶24條地址線,其中13條為行地址選通,11條為列地址選通))
中文描述: 1,600 × 4 13/11 EDO公司的DRAM(1,600 × 4動態(tài)隨機存儲器(超頁面模式并帶24條地址線,其中13條為行地址選通,11條為列地址選通))
文件頁數(shù): 18/29頁
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代理商: IBM0164405P
IBM0164405B
IBM0164405P
16M x 4 13/11 EDO DRAM
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88H2007
GA14-4252-01
Revised 4/97
EDO (Hyper Page) Mode Early Write Cycle
t
HCAS
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RP
RAS
Row
Address
WE
Column 1
Column 2
Column N
Data In 1
Data In 2
Data In N
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: “H” or “L”
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OE = Don’t care
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RCD
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CP
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CP
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CRP
CAS
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RAL
Discontinued (12/98 - last order; 3/99 last ship)
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PDF描述
IBM01644F5B 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM(帶24條地址線,其中13條為行地址選通,11條為列地址選通))
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IBM0165165P 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM(超頁面模式讀寫并帶22條地址線,其中12條為行地址選通,10條為列地址選通))
IBM0165405B 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM(超頁面模式并帶24條地址線,其中12條為行地址選通,12條為列地址選通))
IBM0165405P 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM(超頁面模式并帶24條地址線,其中12條為行地址選通,12條為列地址選通))
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