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參數(shù)資料
| 型號： | IBM0164405P |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 1,600 × 4 13/11 EDO公司的DRAM（1,600 × 4動態(tài)隨機(jī)存儲器（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 21/29頁 |
| 文件大小： | 1309K |
| 代理商： | IBM0164405P |
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IBM0164405B
IBM0164405P
16M x 4 13/11 EDO DRAM
88H2007
GA14-4252-01
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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RAS Only Refresh Cycle
RAS
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IL
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Address
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D
OUT
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V
OL
Row
t
RAS
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RP
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RC
t
RAH
t
ASR
Hi-Z
: “H” or “L”
NOTE: WE, OE and D
IN
are “H” or “L”
t
RPC
t
CRP
CAS
Discontinued (12/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM01644F5B | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
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| IBM0165165P | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165405B | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165405P | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
| IBM0165805PT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:88H4086 |
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