- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379203 > IBM0164405P (IBM Microeletronics) 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IBM0164405P |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 1,600 × 4 13/11 EDO公司的DRAM（1,600 × 4動態(tài)隨機(jī)存儲器（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 7/29頁 |
| 文件大小： | 1309K |
| 代理商： | IBM0164405P |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當(dāng)前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
IBM0164405B
IBM0164405P
16M x 4 13/11 EDO DRAM
88H2007
GA14-4252-01
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 7 of 29
Write Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
WCS
Write Command Set Up Time
0
—
0
—
ns
1
t
WCH
Write Command Hold Time
7
—
10
—
ns
t
WP
Write Command Pulse Width
7
—
10
—
ns
t
RWL
Write Command to RAS Lead Time
8
—
10
—
ns
t
CWL
Write Command to CAS Lead Time
8
—
10
—
ns
t
OED
OE to D
IN
Delay Time
13
—
15
—
ns
2
t
DS
D
IN
Setup Time
0
—
0
—
ns
3
t
DH
D
IN
Hold Time
7
—
10
—
ns
3
1. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
, t
AWD
and t
CPWD
are not restrictive operating parameters. They are included in the data sheet as electrical charac-
teristics only. If t
WCS
≥
t
WCS
(min.), the cycle is an early write cycle and the data pin will remain open circuit (high impedance)
through the entire cycle. If t
RWD
≥
t
RWD
(min.), t
CWD
≥
t
CWD
(min.), t
AWD
≥
t
AWD
(min.), and t
CPWD
≥
t
CPWD
(min.)(Fast Page Mode), the
cycle is a Read-Modify-Write cycle and the data out will contain data read from the selected cell. If neither of the above sets of con-
ditions is satisfied, the condition of the data out (at access time) is indeterminate.
2. Either t
CDD
or t
OED
must be satisfied.
3. These parameters are referenced to CAS leading edge in early write cycles and to WE leading edge in Read-Modify-Write cycles.
Discontinued (12/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM01644F5B | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM0165165B | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165165P | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165405B | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165405P | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
| IBM0165805PT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:88H4086 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。