參數(shù)資料
型號(hào)： IBM01644F5B
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動(dòng)態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
中文描述： 16米x 8 13/11堆疊DRAM（1,600 × 8棧式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通））
文件頁(yè)數(shù)： 10/26頁(yè)
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代理商： IBM01644F5B
IBM01644F5B
16M x 8 13/11 Stacked DRAM
IBM Corporation. All rights reserved.
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96H5533
GA15-5143-00
Revised 03/97
Refresh Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
CSR
CAS Setup Time
(CAS before RAS Refresh Cycle)
5
—
5
—
ns
t
CHR
CAS Hold Time
(CAS before RAS Refresh Cycle)
5
—
10
—
ns
t
WRP
WE Setup Time
(CAS before RAS Refresh Cycle)
5
—
10
—
ns
t
WRH
WE Hold Time
(CAS before RAS Refresh Cycle)
5
—
10
—
ns
t
RPC
RAS Precharge to CAS Hold Time
5
—
5
—
ns
t
REF
Refresh Period
—
64
—
64
ms
1
1. 4096 cycles for CBR Refresh.
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM0165165B 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0165165P 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0165405B 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）)
IBM0165405P 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）)
IBM0165805B 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM0165165PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3120
IBM0165805BJ3C50 制造商:IBM 功能描述:75H2806
IBM0165805BT3C60 制造商:IBM 功能描述:*
IBM0165805PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3108
IBM0165805PT3D60 制造商:IBM 功能描述:88H4086
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