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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM01644F5B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動(dòng)態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 16米x 8 13/11堆疊DRAM（1,600 × 8棧式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 2/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | IBM01644F5B |
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IBM01644F5B
16M x 8 13/11 Stacked DRAM
IBM Corporation. All rights reserved.
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96H5533
GA15-5143-00
Revised 03/97
Ordering Information
Part Number
Power
Self Refresh
Power Supply
Speed
Package
Notes
IBM01644F5BT3 -50
SP
No
3.3V
50ns
400mil TSOJ 32
1
IBM01644F5BT3 -60
SP
No
3.3V
60ns
400mil TSOJ 32
1
1. SP = Standard Power
Block Diagram
Memory
Array
8192 x 2048 x 8
Sense Amp and I/O Gate
Column Decoder
Data In Buffer
Data Out Buffer
Generator
No. 2 Clock
Counter (13)
Refresh
Generator
No. 1 Clock
Controller
Refresh
Address
Buffer (11)
Column
Address
Buffer (13)
13
13
13
11
11
8
8
8
8
8
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
R
8192
2048 x 8
CAS
RAS (upper and
lower decks)
WE
OE
Vcc
Vss
&
I/O0
I/O7
A0
Row
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0165165B | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165165P | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165405B | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165405P | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165805B | 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動(dòng)態(tài)RAM（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
| IBM0165805PT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:88H4086 |
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