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參數(shù)資料
| 型號： | IBM01644F5B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 16米x 8 13/11堆疊DRAM（1,600 × 8棧式動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 21/26頁 |
| 文件大小： | 467K |
| 代理商： | IBM01644F5B |
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IBM01644F5B
16M x 8 13/11 Stacked DRAM
96H5533
GA15-5143-00
Revised 03/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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CAS Before RAS Refresh Cycle
RAS
V
IH
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IL
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V
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D
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V
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RAS
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Hi-Z
: “H” or “L”
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Hi-Z
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t
t
CSR
t
WRH
t
WRP
NOTE: Address is “H” or “L”
t
CP
t
CDD
t
CHR
t
RPC
CAS
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0165165B | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165165P | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165405B | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165405P | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165805B | 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
| IBM0165805PT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:88H4086 |
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