參數(shù)資料
型號(hào)： IBM01644F5B
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動(dòng)態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
中文描述： 16米x 8 13/11堆疊DRAM（1,600 × 8棧式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通））
文件頁(yè)數(shù)： 24/26頁(yè)
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代理商： IBM01644F5B
IBM01644F5B
16M x 8 13/11 Stacked DRAM
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96H5533
GA15-5143-00
Revised 06/97
Package Dimensions
(400mil; 32 Lead; 2 High Stack; Thin Small Outline J-Lead)
NOTE:
All linear tolerances = .13.
All dimensions are in millimeters; Package Diagrams are not drawn to scale.
1.5
Lead #1
Lead #1 Identifier (1.0
±
0.1)
1.5
0.95
1.27 Basic
0.4- 0.08
0.66
Seating Plane
0.10
20.95- 0.13
0.90 Nom
3.20 Max
1
1
9
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM0165165B 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0165165P 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0165405B 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）)
IBM0165405P 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）)
IBM0165805B 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM0165165PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3120
IBM0165805BJ3C50 制造商:IBM 功能描述:75H2806
IBM0165805BT3C60 制造商:IBM 功能描述:*
IBM0165805PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3108
IBM0165805PT3D60 制造商:IBM 功能描述:88H4086
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