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參數(shù)資料
| 型號： | IBM01644F5B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 16米x 8 13/11堆疊DRAM（1,600 × 8棧式動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 14/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | IBM01644F5B |
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IBM01644F5B
16M x 8 13/11 Stacked DRAM
IBM Corporation. All rights reserved.
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96H5533
GA15-5143-00
Revised 03/97
Read-Modify-Write Cycle
D
IN
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OL
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RAC
RAS
Address
WE
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IN
D
OUT
Hi-Z
Hi-Z
D
OUT
Row
Column
: “H” or “L”
*
t
OEH
greater than or equal to t
CWL
*
Hi-Z
t
CRP
t
AWD
t
AA
t
RWD
t
RSH
t
RAD
t
DZO
CAS
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0165165B | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165165P | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0165405B | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165405P | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165805B | 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
| IBM0165805PT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:88H4086 |
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