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參數(shù)資料
| 型號： | IBM0116400P |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日的DRAM（1,600位動態(tài)隨機存儲器（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 512K |
| 代理商： | IBM0116400P |
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IBM0116400
IBM0116400B IBM0116400P
4M x 4 12/10 DRAM
IBM0116400M
43G9396
SA14-4203-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
Notes
3.3 Volt Device
5.0 Volt Device
V
CC
Power Supply Voltage
-0.5 to +4.6
-1.0 to +7.0
V
1
V
IN
Input Voltage
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 4.6)
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 7.0)
V
1
V
OUT
Output Voltage
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 4.6)
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 7.0)
V
1
T
OPR
Operating Temperature
0 to +70
0 to +70
°
C
1
T
STG
Storage Temperature
-55 to +150
-55 to +150
°
C
1
P
D
Power Dissipation
1.0
1.0
W
1
I
OUT
Short Circuit Output Current
50
50
mA
1
1. Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reli-
ability.
Recommended DC Operating Conditions
(T
A
= 0 to 70C)
Symbol
Parameter
3.3 Volt Device
5.0 Volt Device
Units
Notes
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
4.5
5.0
5.5
V
1
V
IH
Input High Voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.5
2.4
—
V
CC
+ 0.5
V
1, 2
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
—
0.8
-0.5
—
0.8
V
1, 2
1. All voltages referenced to V
SS
.
2. V
IH
may overshoot to V
CC
+ 1.2V for pulse widths of
≤
4.0ns with 3.3 Volt, or V
CC
+ 2.0V for pulse widths of
≤
4.0ns (or V
CC
+ 1.0V
for
≤
8.0ns) with 5.0 Volt. Additionally, V
IL
may undershoot to -2.0V for pulse widths
≤
4.0ns with 3.3 Volt, or to -2.0V for pulse
widths
≤
4.0ns (or -1.0V for
≤
8.0ns) with 5.0 Volt. Pulse widths measured at 50% points with amplitude measured peak to DC ref-
erence.
Capacitance
(T
A
= 25
°
C, V
CC
= 3.3V
±
0.3V or V
CC
= 5.0V
±
0.5V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Notes
C
I1
Input Capacitance (A0 - A11)
—
5
pF
1
C
I2
Input Capacitance (RAS, CAS, WE, OE)
—
7
pF
1
C
O
Output Capacitance (I/O0 - I/O3)
—
7
pF
1
1. Input capacitance measurements made with rise time shift method with CAS = V
IH
to disable output.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116400 | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0164165B | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164165P | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164405B | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM0164405P | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
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