參數(shù)資料
型號： IBM0116400P
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
中文描述： 4米× 4 12月10日的DRAM（1,600位動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通））
文件頁數(shù)： 3/28頁
文件大?。?/td> 512K
代理商： IBM0116400P
IBM0116400
IBM0116400B IBM0116400P
4M x 4 12/10 DRAM
IBM0116400M
43G9396
SA14-4203-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Block Diagram
12
12
12
10
10
4
4
4
4
4
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
4096
1024 x 4
CAS
RAS
WE
OE
I/O0
I/O3
I/O1
I/O2
Vcc
Vss
&
Regulator
(to OCDs)
V
DD
(internal)
CAS Clock
Generator
Column Address
Buffer (10)
A0
Refresh
Controller
Refresh Counter
(12)
Row Address
Buffer (12)
RAS Clock
Generator
R
Column Decoder and I/O Gate
Sense Amplifiers
Memory Array
4096 x 1024 x 4
Data In Buffer
Data Out Buffer
(5.0 Volt version)
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM0116400 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0164165B 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）)
IBM0164165P 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）)
IBM0164405B 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
IBM0164405P 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM0116405JIE60 制造商:IBM 功能描述:53H2588
IBM0116405PT1F60 制造商:IBM 功能描述:*
IBM01164B0T3F60 制造商:IBM 功能描述:51H0567
IBM01164D0T3F60 制造商:IBM 功能描述:51H0568
IBM0117400J1E70 制造商:IBM 功能描述:53H2508
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