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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM041813PPLB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 64K X 18 BURST PIPELINE SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)流水線式線式高性能靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64K的X管道爆18的SRAM（100萬(wàn)（64K的X 18）同步可猝發(fā)流水線式線式高性能靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | IBM041813PPLB |
IBM041813PPLB
64K X 18 BURST PIPELINE SRAM
8190738
SA14-4655-04
Revised 9/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 9 of 12
Timing Diagram (Burst Write)
CLK
OE
A2
ADDR
ADV
ADSC
ADSP
WEa
WEb
CS
DQ
t
cycle
t
CH
t
CL
A1
D1(A)
D2(A)
D2(B)
D2(B)
t
ADSPS
t
ADSPH
t
ADSCH
t
ADSCS
t
ADVH
t
ADVS
t
ADVH
t
ADVS
t
AH
t
AS
t
AS
t
AH
t
WEH
t
WES
t
CSS
t
CSH
t
CSS
t
CSH
t
OHZ
t
DH
t
DS
t
CLZ
t
DS
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DH
Notes:
1. D1(A) and D2(A) refer to data written to addresses A1 and A2.
2. D2(B) refers to data written to a subsequent internal burst counter address.
3. WEa and WEb are Don’t Cares when ADSP is sampled LOW.
t
OHZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM041813PQKB | 64K X 18 Burst Pipeline SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)RAM) |
| IBM041814PPLB | 64K X 18 BURST SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM) |
| IBM041814PQKB | 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBM043612PQK-11 | 制造商:IBM 功能描述:Synchronous SRAM, 32K x 36, 100 Pin, Plastic, QFP |
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