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參數(shù)資料
| 型號： | IBM041813PQKB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 64K X 18 Burst Pipeline SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64K的X 18爆裂管道的SRAM（100萬（64K的X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | IBM041813PQKB |
IBM041813PQKB
Preliminary
64K X 18 BURST PIPELINE SRAM
50H5206
SA14-4665-02
Revised 9/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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AC Test Conditions
(T
A
=0 to +70
°
C, V
DD
=3.3V
±
5%)
Parameter
Symbol
Conditions
Units
Notes
Input Pulse High Level
V
IH
3.0
V
Input Pulse Low Level
V
IL
0.0
V
Input Rise Time
T
R
2.0
ns
Input Fall Time
T
F
2.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
1.5
V
Output Load Conditions
1
1. See AC Test Loading figure on page 9.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM041814PPLB | 64K X 18 BURST SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM) |
| IBM041814PQKB | 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A40QLAB | 4Mb( 256K x 18 ) SRAM(4Mb( 256K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A80QLAB | 8Mb( 512K x 18 ) SRAM(8Mb( 512K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0436A40QLAB | 4Mb( 128K x 36 ) SRAM(4Mb( 128K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM041813PQKB5 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM0418A4ACLAA-4F | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043610QLAB4H | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM043611TLAB4 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043612PQK-11 | 制造商:IBM 功能描述:Synchronous SRAM, 32K x 36, 100 Pin, Plastic, QFP |
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