參數(shù)資料
型號(hào)： IBM041813PQKB
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 64K X 18 Burst Pipeline SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)RAM)
中文描述： 64K的X 18爆裂管道的SRAM（100萬(wàn)（64K的X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
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代理商： IBM041813PQKB
IBM041813PQKB
Preliminary
64K X 18 BURST PIPELINE SRAM
50H5206
SA14-4665-02
Revised 9/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 11 of 15
Timing Diagram (Burst Write)
CLK
OE
A2
ADDR
ADV
ADSC
ADSP
CS2
DQ
t
cycle
t
CH
t
CL
A1
D1(A)
D2(A)
D2(B)
D2(B)
t
ADSPS
t
ADSPH
t
ADSCH
t
ADSCS
t
ADVH
t
ADVS
t
ADVH
t
ADVS
t
AH
t
AS
t
AS
t
AH
t
WEH
t
WES
t
CSS
t
CSH
t
OHZ
t
DH
t
DS
t
CHZ
t
DS
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DH
t
CSS
t
CSH
CS2
CS
Notes:
1. D1(A) and D2(A) refer to data written to address A1 and A2.
2. D2(B) refers to data written to a subsequent internal burst counter address.
3. WEa, WEb are don’t cares when ADSP is sampled LOW.
t
CLZ
WEa, WEb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM041814PPLB 64K X 18 BURST SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM)
IBM041814PQKB 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM)
IBM0418A40QLAB 4Mb( 256K x 18 ) SRAM(4Mb( 256K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM)
IBM0418A80QLAB 8Mb( 512K x 18 ) SRAM(8Mb( 512K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM)
IBM0436A40QLAB 4Mb( 128K x 36 ) SRAM(4Mb( 128K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM041813PQKB5 制造商:IBM 功能描述:
IBM0418A4ACLAA-4F 制造商:IBM 功能描述:
IBM043610QLAB4H 制造商:IBM 功能描述:*
IBM043611TLAB4 制造商:IBM 功能描述:
IBM043612PQK-11 制造商:IBM 功能描述:Synchronous SRAM, 32K x 36, 100 Pin, Plastic, QFP
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