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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM041813PQKB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 64K X 18 Burst Pipeline SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64K的X 18爆裂管道的SRAM（100萬(wàn)（64K的X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/15頁(yè) |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | IBM041813PQKB |
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IBM041813PQKB
64K X 18 BURST PIPELINE SRAM
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 10 of 15
50H5206
SA14-4665-02
Revised 9/97
Timing Diagram (Burst Read)
CLK
OE
A1
A2
ADDR
ADV
ADSC
ADSP
WEa,WEb
CS2
DQ
t
cycle
t
CH
t
CL
t
ADSPS
t
ADSPH
t
ADSCS
t
ADSCH
t
ADVS
t
ADVH
t
AS
t
AH
t
AH
t
AS
t
WEH
t
WES
t
CSS
t
CSH
CS2
CS
Notes:
1. Q1(A) and Q2(A) refer to data read from address A1 and A2.
2. Q2(B), Q2(C) and Q2(D) refer to data read from subsequent internal burst counter addresses.
t
OLZ
t
OQ
t
CQ
Q1(A)
Q2(A)
Q2(
Q2(
t
OHZ
t
CQX
t
CQ
B
C)
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM041814PPLB | 64K X 18 BURST SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM) |
| IBM041814PQKB | 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A40QLAB | 4Mb( 256K x 18 ) SRAM(4Mb( 256K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A80QLAB | 8Mb( 512K x 18 ) SRAM(8Mb( 512K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0436A40QLAB | 4Mb( 128K x 36 ) SRAM(4Mb( 128K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM041813PQKB5 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM0418A4ACLAA-4F | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043610QLAB4H | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM043611TLAB4 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043612PQK-11 | 制造商:IBM 功能描述:Synchronous SRAM, 32K x 36, 100 Pin, Plastic, QFP |
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