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參數(shù)資料
| 型號： | IBM0116400M |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日的DRAM（1,600位動態(tài)隨機存儲器（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 14/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 512K |
| 代理商： | IBM0116400M |
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IBM0116400
IBM0116400B
4M x 4 12/10 DRAM
IBM0116400M
IBM0116400P
IBM Corporation. All rights reserved.
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43G9396
SA14-4203-06
Revised 4/97
Write Cycle (Delayed Write)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Address
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
OE
V
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V
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D
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Row
Column
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CAS
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t
CAH
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RWL
: “H” or “L”
t
WP
t
CWL
Valid Data In
Hi-Z
Hi-Z
t
DZO
t
OEH
t
OEZ
t
CLZ
t
DS
t
OED
t
RCD
t
DH
t
RCS
*
*t
OEH
greater than or equal to t
CWL
Hi-Z
t
RSH
CAS
t
DZC
t
OEA
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116400P | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0116400 | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0164165B | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164165P | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164405B | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
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