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參數資料
| 型號： | IBM0116400M |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日的DRAM（1,600位動態(tài)隨機存儲器（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）） |
| 文件頁數： | 8/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 512K |
| 代理商： | IBM0116400M |
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IBM0116400
IBM0116400B
4M x 4 12/10 DRAM
IBM0116400M
IBM0116400P
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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43G9396
SA14-4203-06
Revised 4/97
Write Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
WCS
Write Command Set Up Time
0
—
0
—
ns
1
t
WCH
Write Command Hold Time
10
—
15
—
ns
t
WP
Write Command Pulse Width
10
—
15
—
ns
t
RWL
Write Command to RAS Lead Time
13
—
15
—
ns
t
CWL
Write Command to CAS Lead Time
13
—
15
—
ns
t
OED
OE to D
IN
Delay Time
13
—
15
—
ns
2
t
DS
D
IN
Setup Time
0
—
0
—
ns
3
t
DH
D
IN
Hold Time
10
—
12
—
ns
3
1. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
, t
AWD
and t
CPW
are not restrictive operating parameters. They are included in the data sheet as electrical charac-
teristics only. If t
WCS
≥
t
WCS
(min), the cycle is an early write cycle and the data pin will remain open circuit (high impedance)
through the entire cycle. If t
RWD
≥
t
RWD
(min), t
CWD
≥
t
CWD
(min), t
AWD
≥
t
AWD
(min), and t
CPW
≥
t
CPW
(min)(Fast Page Mode), the
cycle is a Read-Modify-Write cycle and the data out will contain data read from the selected cell. If neither of the above sets of con-
ditions are satisfied, the condition of the data out (at access time) is indeterminate.
2. Either t
CDD
or t
OED
must be satisfied.
3. These parameters are referenced to CAS leading edge in early write cycles and to WE leading edge in Read-Modify-Write cycles.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116400P | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0116400 | 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| IBM0164165B | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164165P | 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）) |
| IBM0164405B | 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
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