參數(shù)資料
型號： IBM0116400M
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
中文描述： 4米× 4 12月10日的DRAM（1,600位動態(tài)隨機存儲器（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通））
文件頁數(shù)： 23/28頁
文件大?。?/td> 512K
代理商： IBM0116400M
IBM0116400
IBM0116400B IBM0116400P
4M x 4 12/10 DRAM
IBM0116400M
43G9396
SA14-4203-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 23 of 28
Self Refresh Cycle (Sleep Mode)
- Low Power version only
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
t
RASS
t
RPS
t
CRP
D
OUT
V
OH
V
OL
Hi-Z
: “H” or “L”
t
OFF
t
CP
t
CSR
t
WRH
t
WRP
t
RPC
CAS
t
CHD
t
CHS
NOTES:
1. Address and OE are “H” or “L”
2. Once RAS (min) is provided and RAS remains low, the DRAM
will be in Self Refresh, commonly known as “Sleep Mode.”
3. If t
RASS
> t
CHD
(min) then t
CHD
applies.
If t
RASS
≤
t
CHD
(min) then t
CHS
applies.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM0116400P 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0116400 4M x 4 12/10 DRAM(16M位 動態(tài)RAM（帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0164165B 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）)
IBM0164165P 4M x 16 13/9 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中13條為行地址選通，9條為列地址選通）)
IBM0164405B 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM0116405JIE60 制造商:IBM 功能描述:53H2588
IBM0116405PT1F60 制造商:IBM 功能描述:*
IBM01164B0T3F60 制造商:IBM 功能描述:51H0567
IBM01164D0T3F60 制造商:IBM 功能描述:51H0568
IBM0117400J1E70 制造商:IBM 功能描述:53H2508
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