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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM041814PQKB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64K的X 18爆的SRAM（100萬（64K的X 18）高性能同步可猝發(fā)的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/14頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | IBM041814PQKB |
IBM041814PQKB
64K X 18 BURST SRAM
Preliminary
50H5205
SA14-4664-01
Revised 9/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 9 of 14
Timing Diagram (Burst Read)
CLK
OE
A1
A2
ADDR
ADV
ADSC
ADSP
WEa, WEb
CS2
DQ
t
cycle
t
CH
t
CL
t
ADSPS
t
ADSPH
t
ADSCS
t
ADSCH
t
ADVS
t
ADVH
t
AS
t
AH
t
AH
t
AS
t
WEH
t
WES
t
CSH
t
CSS
t
CSS
t
CSH
t
OLZ
t
OQ
t
CQ
Q1(A)
Q2(A)
Q2(B)
Q2(C)
t
CQX
t
CQ
Q2(D)
t
OHZ
t
CQ
t
CQX
CS2
CS
Notes:
1. Q1(A) and Q2(A) refer to data written to address A1 and A2.
2. Q2(B), Q2(C) and Q2(D) refer to data written to subsequent internal burst counter addresses.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0418A40QLAB | 4Mb( 256K x 18 ) SRAM(4Mb( 256K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A80QLAB | 8Mb( 512K x 18 ) SRAM(8Mb( 512K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0436A40QLAB | 4Mb( 128K x 36 ) SRAM(4Mb( 128K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0436A80QLAB | 8Mb( 256K x 36 ) SRAM(8Mb( 256K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A41QLAB | 4Mb (256K x 18) SRAM(4M位 ( 256Kx 18) 同步流水線式高性能CMOS靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0418A4ACLAA-4F | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043610QLAB4H | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM043611TLAB4 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043612PQK-11 | 制造商:IBM 功能描述:Synchronous SRAM, 32K x 36, 100 Pin, Plastic, QFP |
| IBM043612PQKB10 | 制造商:IBM 功能描述:* |
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