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參數(shù)資料
| 型號： | IBM041814PQKB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64K的X 18爆的SRAM（100萬（64K的X 18）高性能同步可猝發(fā)的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 218K |
| 代理商： | IBM041814PQKB |
IBM041814PQKB
64K X 18 BURST SRAM
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
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50H5205
SA14-4664-01
Revised 9/97
Timing Diagram (Burst Write)
CLK
OE
A2
ADDR
ADV
ADSC
ADSP
CS2
DQ
t
cycle
t
CH
t
CL
A1
D1(A)
D2(A)
D2(B)
D2(B)
t
ADSPS
t
ADSPH
t
ADSCH
t
ADSCS
t
ADVH
t
ADVS
t
ADVH
t
ADVS
t
AH
t
AS
t
AS
t
AH
t
WEH
t
WES
t
CSS
t
CSH
t
OHZ
t
DH
t
DS
t
CHZ
t
DS
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DH
t
CSS
t
CSH
CS2
CS
Notes:
1. D1(A) and D2(A) refer to data written to address A1 and A2.
2. D2(B) refers to data written to a subsequent internal burst counter address.
3. WEa, WEb are don’t cares when ADSP is sampled LOW.
t
CLZ
WEa, WEb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0418A40QLAB | 4Mb( 256K x 18 ) SRAM(4Mb( 256K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A80QLAB | 8Mb( 512K x 18 ) SRAM(8Mb( 512K x 18 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0436A40QLAB | 4Mb( 128K x 36 ) SRAM(4Mb( 128K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0436A80QLAB | 8Mb( 256K x 36 ) SRAM(8Mb( 256K x 36 )同步CMOS靜態(tài)RAM) |
| IBM0418A41QLAB | 4Mb (256K x 18) SRAM(4M位 ( 256Kx 18) 同步流水線式高性能CMOS靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0418A4ACLAA-4F | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043610QLAB4H | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM043611TLAB4 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM043612PQK-11 | 制造商:IBM 功能描述:Synchronous SRAM, 32K x 36, 100 Pin, Plastic, QFP |
| IBM043612PQKB10 | 制造商:IBM 功能描述:* |
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