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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM043614PQKB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 32K X 36 BURST SRAM(1M (32K X 36)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 32KX8的36爆的SRAM（100萬(wàn)（32KX8的36）同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/13頁(yè) |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | IBM043614PQKB |
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IBM043614PQKB
32K X 36 BURST SRAM
IBM Corporation. All rights reserved.
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8190747
SA14-4652-03
Revised 9/97
Timing Diagram (Burst Write)
CLK
OE
A2
ADDR
ADV
ADSC
ADSP
CS2
DQ
t
cycle
t
CH
t
CL
A1
D1(A)
D2(A)
D2(B)
D2(B)
t
ADSPS
t
ADSPH
t
ADSCH
t
ADSCS
t
ADVH
t
ADVS
t
ADVH
t
ADVS
t
AH
t
AS
t
AS
t
AH
t
WEH
t
WES
t
CSS
t
CSH
t
OHZ
t
DH
t
DS
t
CHZ
t
DS
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DH
t
CSS
t
CSH
CS2
CS
Notes:
1. D1(A) and D2(A) refer to data written to address A1 and A2.
2. D2(B) refers to data written to a subsequent internal burst counter address.
3. WEa, WEb, WEc and WEd are don’t cares when ADSP is sampled LOW.
t
CLZ
WEa, WEb
WEc, WEd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11E4480BG | 4M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(4M x 36 片上帶可兼容的糾錯(cuò)代碼的單列動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| IBM11D4480BG | 4M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(4M x 36 片上帶可兼容的糾錯(cuò)代碼的單列動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| IBM11E4490BG | 4M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(4M x 36動(dòng)態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯(cuò)代碼功能）) |
| IBM11D4490BG | 4M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(4M x 36動(dòng)態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯(cuò)代碼功能）) |
| IBM11D8490BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(8M x 36動(dòng)態(tài)RAM模塊（（片上帶糾錯(cuò)代碼功能）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM043614PQKB10 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM043641RLAD5 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBM10K0033 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
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