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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11D4490BG |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(4M x 36動態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯代碼功能）) |
| 中文描述： | 4米× 36 ECC的問題，上海藥物研究所瓦特/錯誤行（4米× 36動態(tài)內(nèi)存模塊（片上帶糾錯代碼功能）） |
| 文件頁數(shù)： | 2/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | IBM11D4490BG |
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Revised 10/98
IBM11D4490BG IBM11E4490BG
IBM11D8490BG IBM11E8490BG
4M/8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines
Preliminary
Pin Description
RAS0, RAS2
Row Address Strobe
(16MB)
Row Address Strobe
(32MB)
Column Address Strobe
Read/write Input
Address Inputs
RAS0 - RAS3
CAS0 - CAS3
WE
A0 - A10
DQ0-7, 9-16,
18-25, 27-34
PQ8, 17, 26, 35
Data Input/output
Parity Input/output
Error Lines
Power (+5V)
Ground
No Connect
Presence Detects
ERROR0 - ERROR3
V
CC
V
SS
NC
PD1 - PD4
Pinout
Pin# Name
Pin#
Name
Pin#
Name
1
V
SS
25
DQ24
49
DQ9
2
DQ0
26
DQ7
50
DQ27
3
DQ18
27
DQ25
51
DQ10
4
DQ1
28
A7
52
DQ28
5
DQ19
29
ERROR0
53
DQ11
6
DQ2
30
V
CC
54
DQ29
7
DQ20
31
A8
55
DQ12
8
DQ3
32
A9
56
DQ30
9
DQ21
33
RAS3 (1)
57
DQ13
10
V
CC
34
RAS2
58
DQ31
11
NC
35
PQ26
59
V
CC
12
A0
36
PQ8
60
DQ32
13
A1
37
PQ17
61
DQ14
14
A2
38
PQ35
62
DQ33
15
A3
39
V
SS
63
DQ15
16
A4
40
CAS0
64
DQ34
17
A5
41
CAS2
65
DQ16
18
A6
42
CAS3
66
ERROR2
19
A10
43
CAS1
67
PD1
20
DQ4
44
RAS0
68
PD2
21
DQ22
45
RAS1 (1)
69
PD3
22
DQ5
46
ERROR1
70
PD4
23
DQ23
47
WE
71
ERROR3
24
DQ6
48
NC
72
V
SS
1 - RAS1 and RAS3 are “NC” on 16MB SIMM
Ordering Information
Part Number
Organization
Speed
Addr.
Leads
Dimensions
DRAM-
Package
Notes
IBM11D4490BG-70
4M x 36
70ns
11/11
Sn/Pb
4.25” x 1.04” x .397”
SOJ
1
IBM11E4490BG-70
Au
IBM11D4490BG-70
Sn/Pb
IBM11E4490BG-70
Au
IBM11D8490BG-70
8M x 36
Sn/Pb
4.25” x 1.40” x .397”
SOJ
1
IBM11E8490BG-70
Au
TSOP/SOJ
1, 2
1. DRAM package designator appended to speed portion of partnumber on assemblies beginning with DRAM die rev E.
2. This assembly consists of 6 TSOP and 18 SOJ DRAMs
Discontinued (7/00 - last order; 9/00 - last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11D8490BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(8M x 36動態(tài)RAM模塊（（片上帶糾錯代碼功能）) |
| IBM11E8490BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(8M x 36動態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯代碼功能）) |
| IBM11E8480BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(8M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11D8480BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(8M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M2640HB | 2M x 64 DRAM Module(2M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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