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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11D4490BG |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(4M x 36動態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯代碼功能）) |
| 中文描述： | 4米× 36 ECC的問題，上海藥物研究所瓦特/錯誤行（4米× 36動態(tài)內(nèi)存模塊（片上帶糾錯代碼功能）） |
| 文件頁數(shù)： | 18/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | IBM11D4490BG |
IBM11D4490BG IBM11E4490BG
IBM11D8490BG IBM11E8490BG
4M/8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 18 of 20
75H3879
Revised 10/98
Layout Drawing (8M x 36)
Note:
All dimensions are typical unless otherwise stated.
107.95
4.25
44.45
1.75
1.27 PITCH
.050
1.00 WIDTH
.039
6.35
.250
101.19
3.983
(2X) 0
3.1877
.1255
2.03
.08
6
.
95.25
3.75 REF.
Millimeters
Inches
10.08
.397 MAX.
Side
1.27
+
.050
+.0762
.004
.003
Front
A unique assembly is available with these
6 DRAMs in TSOP and the other 18 in SOJ
packages..
Discontinued (7/00 - last order; 9/00 - last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11D8490BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(8M x 36動態(tài)RAM模塊（（片上帶糾錯代碼功能）) |
| IBM11E8490BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM w/ Error Lines(8M x 36動態(tài)RAM模塊（片上帶糾錯代碼功能）) |
| IBM11E8480BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(8M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11D8480BG | 8M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(8M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M2640HB | 2M x 64 DRAM Module(2M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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