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參數(shù)資料
| 型號： | IBM0165165P |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動態(tài)RAM（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 4米× 16 12/10 EDO公司的DRAM（4米× 16動態(tài)隨機存儲器（超頁面模式讀寫并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 9/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 522K |
| 代理商： | IBM0165165P |
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IBM0165165B
IBM0165165P
4M x 16 12/10 EDO DRAM
88H2011
GA14-4250-02
Revised 11/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 9 of 28
Read-Modify-Write Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RWC
Read-Modify-Write Cycle Time
109
—
135
—
ns
t
RWD
RAS to WE Delay Time
65
—
79
—
ns
1
t
CWD
CAS to WE Delay Time
28
—
34
—
ns
1
t
AWD
Column Address to WE Delay Time
40
—
49
—
ns
1
t
OEH
OE Command Hold Time
7
—
10
—
ns
1. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
, t
AWD
and t
CPWD
are not restrictive operating parameters. They are included in the data sheet as electrical charac-
teristics only. If t
WCS
≥
t
WCS
(min.), the cycle is an early write cycle and the data pin will remain open circuit (high impedance)
through the entire cycle. If t
RWD
≥
t
RWD
(min.), t
CWD
≥
t
CWD
(min.), t
AWD
≥
t
AWD
(min.), and t
CPWD
≥
t
CPWD
(min.)(Fast Page Mode), the
cycle is a Read-Modify-Write cycle and the data out will contain data read from the selected cell. If neither of the above sets of con-
ditions is satisfied, the condition of the data out (at access time) is indeterminate.
Extended Data Out (Hyper Page) Mode Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
HCAS
CAS Pulse Width (Hyper Page Mode)
8
100K
10
10K
ns
t
HPC
Hyper Page Mode Cycle Time (Read/Write)
20
—
25
—
ns
t
HPRWC
Hyper Page Mode Read Modify Write Cycle Time
54
—
66
—
ns
t
DOH
Data-out Hold Time from CAS
5
—
5
—
ns
t
WHZ
Output buffer Turn-Off Delay from WE
0
10
0
10
ns
t
WPZ
WE Pulse Width to Output Disable at CAS High
7
—
10
—
ns
t
CPRH
RAS Hold Time from CAS Precharge
27
—
35
—
ns
t
CPA
Access Time from CAS Precharge
—
27
—
35
ns
1
t
RASP
Hyper Page Mode RAS Pulse Width
50
200K
60
200K
ns
t
OEP
OE High Pulse Width
5
—
10
—
ns
t
OEHC
OE High Hold Time from CAS High
5
—
10
—
ns
1. Measured with the specified current load and 100pF at V
OL
= 0.8V and V
OH
= 2.0V.
Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0165405B | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
| IBM0165405P | 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
| IBM0165805PT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:88H4086 |
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