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參數(shù)資料
| 型號： | IBM0165805B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| 中文描述： | 8米× 8 12/11 EDO公司的DRAM（8米× 8動態(tài)隨機存儲器（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）） |
| 文件頁數(shù)： | 5/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 946K |
| 代理商： | IBM0165805B |
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IBM0165805B
IBM0165805P
8M x 8 12/11 EDO DRAM
88H2009
GA14-4254-02
Revised 11/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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DC Electrical Characteristics
(T
A
= 0 to +70
°
C, V
CC
= 3.3
±
0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Notes
I
CC1
Operating Current
Average Power Supply Operating Current
(RAS, CAS, Address Cycling: t
RC
= t
RC
min)
-50
—
140
mA
1, 2, 3
-60
—
115
I
CC2
Standby Current (TTL)
Power Supply Standby Current
(RAS = CAS = V
IH
)
—
2
mA
I
CC3
RAS Only Refresh Current
Average Power Supply Current, RAS Only Mode
(RAS Cycling, CAS = V
IH
: t
RC
= t
RC
min)
-50
130
mA
1, 3
-60
—
110
I
CC4
EDO Mode Current
Average Power Supply Current, Hyper Page Mode
(RAS = V
IL
, CAS, Address Cycling: t
PC
= t
PC
min)
-50
—
100
mA
1, 2, 3
-60
—
80
I
CC5
Standby Current (CMOS)
Power Supply Standby Current
(RAS = CAS = V
CC
- 0.2V)
LP version
—
200
μ
A
SP version
—
1
mA
I
CC6
CAS Before RAS Refresh Current
Average Power Supply Current, CAS Before RAS Mode
(RAS, CAS, Cycling: t
RC
= t
RC
min)
-50
—
140
mA
1, 2
-60
—
115
I
CC7
Self Refresh Current (LP version only)
Average Power Supply Current during Self Refresh
CBR cycle with RAS
≥
t
RASS
(min); CAS held low;
WE = V
CC
- 0.2V; Addresses and D
IN
= V
CC
- 0.2V or 0.2V.
—
400
μ
A
I
I(L)
Input Leakage Current
Input Leakage Current, any input
(0.0
≥
V
IN
≥
V
CC
), All Other Pins Not Under Test = 0V
-2
+2
μ
A
I
O(L)
Output Leakage Current
(D
OUT
is disabled, 0.0
≥
V
OUT
≥
V
CC
)
-2
+2
μ
A
V
OH
Output High Level (TTL)
Output “H” Level Voltage (I
OUT
= -2mA)
2.4
—
V
V
OL
Output Low Level (TTL)
Output “L” Level Voltage (I
OUT
= +2mA)
—
0.4
V
1. I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
, I
CC6
depend on cycle rate.
2. I
CC1
, I
CC4
depend on output loading. Specified values are obtained with the output open.
3. Column address can be changed once or less while RAS =V
IL
and CAS =V
IH
.
Discontinued (12/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0165805P | 8M x 8 12/11 EDO DRAM(8M x 8 動態(tài)RAM（超頁面模式并帶23條地址線，其中12條為行地址選通，11條為列地址選通）) |
| IBM025160 | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
| IBM025161 | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
| IBM025170 | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
| IBM025171 | 4Mb（256K X 16） MULTIPORT VIDEO RAM(4M位（256K X 16）多端口視頻RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM0165805BJ3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H2806 |
| IBM0165805BT3C60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM0165805PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3108 |
| IBM0165805PT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:88H4086 |
| IBM025160LG5B-70 | 制造商:IBM 功能描述: |
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