參數(shù)資料
型號(hào)： M32000D3FP
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, 66.6 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 40/155頁(yè)
文件大?。?/td> 1340K
代理商： M32000D3FP
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
12-6
M32000D3FP User's Manual
12.4 AC characteristics
12.4.2 Switching characteristics
VCC = 3.3
± 0.3 V, CL = 50 pF, TOPR = 0 to 70 °C unless otherwise noted
(2) read and write timing
symbol
parameter
test
limits
unit reference
condi-
number
tions
min.
max.
td(CLKIN-BSHX)
__
BS = "H" effective time after CLKIN
0
ns
12
td(CLKIN-BSL)
__
BS = "L" delay time after CLKIN
12
ns
13
td(CLKIN-BSLX)
__
BS = "L" effective time after CLKIN
tc(CLKIN)/4
ns
14
td(CLKIN-BSH)
__
BS = "H" delay time after CLKIN
tc(CLKIN)/4 + 8 ns
15
td(CLKIN-AV)
address delay time after CLKIN
16
ns
16
td(CLKIN-AX)
address effective time after CLKIN
0
ns
17
td(CLKIN-BCV)
___
BCH, BCL delay time after CLKIN
16
ns
18
td(CLKIN-BCX)
___
BCH, BCL effective time after CLKIN
0
ns
19
td(CLKIN-SIDV)
SID delay time after CLKIN
16
ns
20
td(CLKIN-SIDX)
SID effective time after CLKIN
0
ns
21
td(CLKIN-STV)
ST delay time after CLKIN
16
ns
22
td(CLKIN-STX)
ST effective time after CLKIN
0
ns
23
td(CLKIN-RWV)
_
R/W delay time after CLKIN
16
ns
24
td(CLKIN-RWX)
_
R/W effective time after CLKIN
0
ns
25
td(CLKIN-BURSTHX)
______
BURST = "H" effective time after CLKIN
0
ns
26
td(CLKIN-BURSTL)
______
BURST = "L" delay time after CLKIN
12
ns
27
td(CLKIN-BURSTLX)
______
BURST = "L" effective time after CLKIN
0
ns
28
td(CLKIN-BURSTH)
______
BURST = "H" delay time after CLKIN
12
ns
29
td(CLKIN-DZX)
data output enable time after CLKIN
0
ns
32
td(CLKIN-DV)
data output delay time after CLKIN
18
ns
33
td(CLKIN-DVX)
data output effective time after CLKIN
0
ns
34
td(CLKIN-DXZ)
data output disable time after CLKIN
16
ns
35
(1) output transition time
symbol
parameter
test
limits
unit
reference
conditions
number
min.
typ.
max.
tr(OUTPUT)
output rising transition time
8
ns
3
tf(OUTPUT)
output falling transition time
8
ns
4
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PDF描述
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