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參數(shù)資料
| 型號： | UPD488448FB-C80-45-DQ1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM |
| 中文描述： | 128 M位DRAM的直接Rambus的⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 70/80頁 |
| 文件大小： | 1902K |
| 代理商： | UPD488448FB-C80-45-DQ1 |
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Data Sheet M14837EJ3V0DS00
70
μ
PD488448 for Rev. P
RSL Pin Parasitics
Symbol
Parameter and Conditions - RSL pins
MIN.
MAX.
Unit
L
I
RSL effective input inductance
–
4.0
nH
L
12
Mutual inductance between any DQA or DQB RSL signals.
–
0.2
nH
Mutual inductance between any ROW or COL RSL signals.
–
0.6
nH
L
I
Difference in L
I
value between any RSL pins of a single device.
–
1.8
nH
C
I
RSL effective input capacitance
Note
800 MHz
2.0
2.4
pF
711 MHz
2.0
2.4
600 MHz
2.0
2.6
C
12
Mutual capacitance between any RSL signals.
–
0.1
pF
C
I
Difference in C
I
value between any RSL pins of a single device.
–
0.06
pF
R
I
RSL effective input resistance
4
15
Note
This value is a combination of the device IO circuitry and package capacitances.
CMOS Pin Parasitics
Symbol
Parameter and Conditions - CMOS pins
MIN.
MAX.
Unit
L
I,CMOS
CMOS effective input inductance
–
8.0
nH
C
I,CMOS
CMOS effective input capacitance (SCK,CMD)
Note
1.7
2.1
pF
C
I,CMOS,SIO
CMOS effective input capacitance (SIO1,SIO0)
Note
–
7.0
pF
Note
This value is a combination of the device IO circuitry and package capacitances.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD488448FB-C80-45-DQ2 | 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM |
| UPD488448FB-C71-45-DQ1 | 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM |
| UPD488448FB-C71-45-DQ2 | 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM |
| UPD488448FB-C60-53-DQ2 | 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM |
| UPD488448FF-C80-45-DQ1 | 128 M-bit Direct Rambus⑩ DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UPD50256CP-15 | 制造商:HIT 功能描述:50256 HITACHI'86 SMT N9F8A |
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