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參數(shù)資料
| 型號： | R4F2116BG20V |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PBGA176 |
| 封裝： | 13 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, LFBGA-176 |
| 文件頁數(shù)： | 630/842頁 |
| 文件大?。?/td> | 5188K |
| 代理商： | R4F2116BG20V |
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Section 19 Flash Memory (0.18-
m F-ZTAT Version)
Rev. 1.00 Mar. 02, 2006 Page 626 of 798
REJ09B0255-0100
A single divided block is erased by one erasing processing. For block divisions, refer to figure
19.4. To erase two or more blocks, update the erase-block number and perform the erasing
processing for each block.
(a) Select the on-chip program to be downloaded
Set the EPVB bit in FECS to 1.
Several programming/erasing programs cannot be selected at one time. If several programs are
set, download is not performed and a download error is reported to the SS bit in the DPFR
parameter.
Specify the start address of the download destination by FTDAR.
The procedures to be carried out after setting FKEY, e.g. download and initialization, are the
same as those in the programming procedure. For details, see section 19.4.2 (2), Programming
Procedure in User Program Mode.
The procedures after setting parameters for erasing programs are as follows:
(b) Set the FEBS parameter necessary for erasure
Set the erase-block number of the user MAT in the flash erase block select parameter FEBS
(general register ER0). If a value other than an erase-block number of the user MAT is set, no
block is erased even though the erasing program is executed, and an error is returned to the
return value parameter FPFR.
(c) Erasure
Similar to as in programming, there is an entry point for the erasing program in the area from
the start address of a download destination specified by FTDAR
+ 16 bytes. The subroutine is
called and erasing is executed by using the following steps.
MOV.L
#DLTOP+16,ER2
;
Set entry address to ER2
JSR
@ER2
;
Call erasing routine
NOP
The general registers other than R0L are saved in the erasing program.
R0L is a return value of the FPFR parameter.
Since the stack area is used in the erasing program, a 128-byte stack area at the maximum
must be allocated in RAM.
(d) The return value in the erasing program, FPFR (general register R0L) is determined.
(e) Determine whether erasure of the necessary blocks has completed.
If more than one block is to be erased, update the FEBS parameter and repeat steps (b) to (e).
Blocks that have already been erased can be erased again.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R5F21103DFP | 16-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| R5F21104FP | 16-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| R5F21103DFP | 16-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| R5F21102DFP | 16-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| R5F21103FP | 16-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| R4F2116VBG20V | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 3V 128K,PB-FREE 176-BGA - Trays |
| R4F2117VBG | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| R4F2117VBG20V | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| R4F2117VLP | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| R4F2117VTE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU, FLASH, 20MHZ, 3.0 TO 3.6V - Trays |
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