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參數(shù)資料
| 型號： | HC05V7GRS |
| 英文描述： | 68HC05V7 General Release Specification |
| 中文描述： | 68HC05V7一般版本規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 35/170頁 |
| 文件大小： | 980K |
| 代理商： | HC05V7GRS |
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SECTION 3: EPROM and EEPROM
MOTOROLA
Page 21
SECTION 3
EEPROM
The MC68HC05V7 contains EEPROM memory. This section describes the programming
mechanisms.
3.1
The contents and use of the programming register are discussed below.
EEPROM PROGRAMMING REGISTER $1C
Figure 3-1: Programming Register
NOTE:
Any reset including LVR will abort any write in progress when it is
asserted. Data written to the addressed byte will therefore be
indeterminate.
3.1.1
When set, CPEN enables the charge pump which produces the internal programming
voltage. This bit should be set with the LATCH bit. The programming voltage will not be
available until EEPGM is set. The charge pump should be disabled when not in use. CPEN
is readable and writable and is cleared by reset.
CPEN - Charge Pump Enable
3.1.2
ER1 and ER0 form a 2-bit field which is used to select one of three erase modes: byte,
block, or bulk. Table 3-1 shows the modes selected for each bit configuration. These bits
are readable and writable and are cleared by reset.
In byte erase mode, only the selected byte is erased. In block mode, a 32-byte block of
EEPROM is erased. The EEPROM memory space is divided into four 32-byte blocks
($0240-$025F, $0260-$027F, $0280-$029F, $02A0-$02BF), and doing a block erase to
any address within a block will erase the entire block. In bulk erase mode, the entire 128
byte EEPROM section is erased.
ER1:ER0 - Erase Select Bits
-
-
ER1
ER0
LATCH
EERC
EEPGM
CPEN
$1C
0
0
0
0
0
0
0
0
RESET:
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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