- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365431 > S70WS512N00BFWAB2 (Spansion Inc.) Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S70WS512N00BFWAB2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| 中文描述： | 同硅晶片堆疊多芯片產(chǎn)品（MCP）的512兆位（32兆× 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時(shí)讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 81/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 846K |
| 代理商： | S70WS512N00BFWAB2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁當(dāng)前第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
82
S70WS512N00 Based MCPs
S70WS512N00_00_A0 March 14, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Note:
Breakpoints in waveforms indicate that system may alternately read array data from the
non-busy
bank while check-
ing the status of the program or erase operation in the
busy
bank. The system should read status twice to ensure
valid information.
Figure 12.24 Back-to-Back Read/Write Cycle Timings
OE#
CE#
WE#
t
OEH
Data
Addresses
AVD#
PD/30h
AAh
RA
PA/SA
t
WC
t
DS
t
DH
t
RC
t
RC
t
OE
t
OEH
t
AS
t
AH
t
ACC
t
WP
t
GHWL
t
OEZ
t
WC
t
SR/W
Last Cycle in
Program or
Sector Erase
Command Sequence
Read status (at least two cycles) in same bank
and/or array data from other bank
Begin another
write or program
command sequence
RD
RA
555h
RD
t
WPH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S70WS512N00BFWAB3 | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| S71AL016D | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02-B7 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02BAWBF0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S70WS512N00BFWAB3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| S70Y | 功能描述:整流器 1600V 70A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S70YR | 功能描述:整流器 1600V 70A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S-70Z | 制造商:Triad Magnetics 功能描述: |
| S710 | 功能描述:MOUNTING NUT RoHS:是 類別:電位計(jì)，可變電阻器 >> 配件 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 附件類型:支架 適用于相關(guān)產(chǎn)品:Bourns 3250 和 3252 系列電位計(jì) 配用:3252X-502LF-ND - TRIMMER 5K OHM 0.75W TH3252X-202LF-ND - TRIMMER 2K OHM 0.75W TH3252X-103LF-ND - TRIMMER 10K OHM 0.75W TH3252W-503LF-ND - TRIMMER 50K OHM 0.75W TH3252W-502LF-ND - TRIMMER 5K OHM 0.75W TH3252W-501LF-ND - TRIMMER 500 OHM 0.75W TH3252W-204LF-ND - TRIMMER 200K OHM 0.75W TH3252W-203LF-ND - TRIMMER 20K OHM 0.75W TH3252W-202LF-ND - TRIMMER 2K OHM 0.75W TH3252W-201LF-ND - TRIMMER 200 OHM 0.75W TH更多... 其它名稱:H26S |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。