- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365431 > S70WS512N00BFWAB2 (Spansion Inc.) Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S70WS512N00BFWAB2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| 中文描述： | 同硅晶片堆疊多芯片產(chǎn)品（MCP）的512兆位（32兆× 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 53/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 846K |
| 代理商： | S70WS512N00BFWAB2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁當前第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
54
S70WS512N00 Based MCPs
S70WS512N00_00_A0 March 14, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Figure 9.2 PPB Program/Erase Algorithm
9.3
Dynamic Protection Bits
Dynamic Protection Bits are volatile and unique for each sector and can be individually modified.
DYBs only control the protection scheme for unprotected sectors that have their PPBs cleared
(erased to
1
). By issuing the DYB Set or Clear command sequences, the DYBs are set (pro-
grammed to
0
) or cleared (erased to
1
), thus placing each sector in the protected or unprotected
state respectively. This feature allows software to easily protect sectors against inadvertent
changes yet does not prevent the easy removal of protection when changes are needed.
Read Byte Twice
Addr = SA0
Enter PPB
Command Set.
Addr = BA
Program PPB Bit.
Addr = SA
DQ5 = 1
Yes
Yes
Yes
No
No
No
Yes
DQ6 =
Toggle
DQ6 =
Toggle
Read Byte.
Addr = SA
PASS
FAIL
Issue Reset
Command
Exit PPB
Command Set
DQ0 =
'1' (Erase)
'0' (Pgm.)
Read Byte Twice
Addr = SA0
No
Wait 500 μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S70WS512N00BFWAB3 | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| S71AL016D | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02-B7 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02BAWBF0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S70WS512N00BFWAB3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| S70Y | 功能描述:整流器 1600V 70A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S70YR | 功能描述:整流器 1600V 70A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S-70Z | 制造商:Triad Magnetics 功能描述: |
| S710 | 功能描述:MOUNTING NUT RoHS:是 類別:電位計，可變電阻器 >> 配件 系列:- 標準包裝:50 系列:- 附件類型:支架 適用于相關(guān)產(chǎn)品:Bourns 3250 和 3252 系列電位計 配用:3252X-502LF-ND - TRIMMER 5K OHM 0.75W TH3252X-202LF-ND - TRIMMER 2K OHM 0.75W TH3252X-103LF-ND - TRIMMER 10K OHM 0.75W TH3252W-503LF-ND - TRIMMER 50K OHM 0.75W TH3252W-502LF-ND - TRIMMER 5K OHM 0.75W TH3252W-501LF-ND - TRIMMER 500 OHM 0.75W TH3252W-204LF-ND - TRIMMER 200K OHM 0.75W TH3252W-203LF-ND - TRIMMER 20K OHM 0.75W TH3252W-202LF-ND - TRIMMER 2K OHM 0.75W TH3252W-201LF-ND - TRIMMER 200 OHM 0.75W TH更多... 其它名稱:H26S |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。