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參數(shù)資料
| 型號： | S70WS512N00BFWAB2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| 中文描述： | 同硅晶片堆疊多芯片產(chǎn)品（MCP）的512兆位（32兆× 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 78/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 846K |
| 代理商： | S70WS512N00BFWAB2 |
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March 14, 2005 S70WS512N00_00_A0
S70WS512N00 Based MCPs
79
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
RDY(1) active with data (D8 = 1 in the Configuration Register).
RDY(2) active one clock cycle before data (D8 = 0 in the Configuration Register).
Cxx indicates the clock that triggers Dxx on the outputs; for example, C60 triggers D60.
Figure shows the device not crossing a bank in the process of performing an erase or program.
RDY does not go low and no additional wait states are required if the Burst frequency is < = 66 MHz and the Boundary
Crossing bit (D14) in the Configuration Register is set to 0
Figure 12.21 Latency with Boundary Crossing when Frequency > 66 MHz
CLK
Address (hex)
C124
C125
C126
C127
C127
C128
C129
C130
C131
D124
D125
D126
D127
D128
D129
D130
(stays high)
AVD#
RDY(1)
Data
OE#,
CE#
(stays low)
Address boundary occurs every 128 words, beginning at address
00007Fh: (0000FFh, 00017Fh, etc.) Address 000000h is also a boundary crossing.
7C
7D
7E
7F
7F
80
81
82
83
latency
RDY(2)
latency
t
RACC
t
RACC
t
RACC
t
RACC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S70WS512N00BFWAB3 | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| S71AL016D | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S70WS512N00BFWAB3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| S70Y | 功能描述:整流器 1600V 70A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S70YR | 功能描述:整流器 1600V 70A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S-70Z | 制造商:Triad Magnetics 功能描述: |
| S710 | 功能描述:MOUNTING NUT RoHS:是 類別:電位計，可變電阻器 >> 配件 系列:- 標準包裝:50 系列:- 附件類型:支架 適用于相關(guān)產(chǎn)品:Bourns 3250 和 3252 系列電位計 配用:3252X-502LF-ND - TRIMMER 5K OHM 0.75W TH3252X-202LF-ND - TRIMMER 2K OHM 0.75W TH3252X-103LF-ND - TRIMMER 10K OHM 0.75W TH3252W-503LF-ND - TRIMMER 50K OHM 0.75W TH3252W-502LF-ND - TRIMMER 5K OHM 0.75W TH3252W-501LF-ND - TRIMMER 500 OHM 0.75W TH3252W-204LF-ND - TRIMMER 200K OHM 0.75W TH3252W-203LF-ND - TRIMMER 20K OHM 0.75W TH3252W-202LF-ND - TRIMMER 2K OHM 0.75W TH3252W-201LF-ND - TRIMMER 200 OHM 0.75W TH更多... 其它名稱:H26S |
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