參數(shù)資料
型號: 28F3204C3
廠商: Intel Corp.
英文描述: 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級堆芯片封裝存儲器)
中文描述: 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器(3V的高級堆芯片封裝存儲器)
文件頁數(shù): 6/62頁
文件大?。?/td> 538K
代理商: 28F3204C3
28F1602C3, 28F3204C3
E
6
PRODUCT PREVIEW
For complete current and voltage specifications,
refer to Section 9.
2.0
PACKAGE BALLOUTS
This section provides device ball descriptions and
package ballouts for the 3 Volt Advanced+ Stacked-
CSP memory, which is available in a 72-ball
(Figure 1) package. This family of products
provides upgrade paths up to 32-Mbit flash memory
with 4-Mbit static RAM density.
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DU
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S-WE#
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S-GND
F-WP# V
PP
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A
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DU
DU
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F-GND DU
DU
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S-CS
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F-OE#DU
DU
DU
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CC
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CC
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DU
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DQ
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S-WE# DQ
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DQ
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DQ
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DQ
13
A
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F-V
CC
DQ
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DU F-OE# F-GND F-CE# A
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DU F-WE#
V
PP
F-WP#
S-UB# S-LB#
A
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A
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A
5
DU
DU
DU
F-RP#S-GND
Top View, Balls Down
Bottom View, Balls Up
NOTE:
1.
The upper address line, A
, for the 32-Mbit flash with 4-Mbit SRAM device is defined. Flash upgrade address lines are
also shown for A
(64-Mbit flash) and A
(128-Mbit flash) as well. In both the 32-Mbit flash with 4-Mbit SRAM and the
16-Mbit flash with 2-Mbit SRAM; 66 balls are populated (A
21
and A
22
are not populated).
Figure 1. 72-Ball Stacked Chip Scale Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F1604C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器)
28F160C18 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級引導塊閃速存儲器)
28F160C2 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導塊閃速存儲器)
28F800C2 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導塊閃速存儲器)
28F160S3 3 V FlashFile Memory(3 V FlashFile 存儲器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F3204W30 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
28F320B3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
28F320C3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
28F320J3D75 制造商:undefined 功能描述:
28F320J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY 32 AND 64 MBIT