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參數(shù)資料
| 型號： | 28F3204C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級堆芯片封裝存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的高級堆芯片封裝存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 52/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 538K |
| 代理商： | 28F3204C3 |
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28F1602C3, 28F3204C3
E
52
PRODUCT PREVIEW
B.6
DEVICE GEOMETRY DEFINITION
Table B7. Device Geometry Definition
Offset
Length
Description
Code
See Table Below
27:
28:
--01
29:
--00
2A:
--00
2B:
--00
2C:
--02
27h
28h
1
2
“n” such that device size = 2
Flash device interface: x8 async x16 async x8/x16 async
28:00,29:00 28:01,29:00 28:02,29:00
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
in number of bytes
x16
2Ah
2
n
0
2Ch
1
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in
“bulk”
2. x specifies the number of device or partition regions
with one or more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking
region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256
bytes
2
2Dh
4
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256
bytes
34:
Device Geometry Definition
Address
16 Mbit
32 Mbit
–B
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--1E
--00
--00
--01
–T
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--1E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--3E
--00
--00
--01
–T
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--3E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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