- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F3204C3 (Intel Corp.) 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級(jí)堆芯片封裝存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F3204C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級(jí)堆芯片封裝存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 3伏高級(jí)堆疊芯片級(jí)封裝存儲(chǔ)器（3V的高級(jí)堆芯片封裝存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 10/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 538K |
| 代理商： | 28F3204C3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁
28F1602C3, 28F3204C3
E
10
PRODUCT PREVIEW
Table 2. Flash Operating Mode
(1)
Mode
Note
F-RP#
F-CE#
F-OE#
F-WE#
DQ
0-15
Flash Read
2,3
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
D
OUT
Flash Output Disable
2
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
High Z
Flash Write
4
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
IN
Flash Standby
2
V
IH
V
IH
X
X
High Z
Flash Reset
2,5
V
IL
X
X
X
High Z
SRAM Read
2
X
V
IH
X
X
High Z
SRAM Output Disable
2
X
V
IH
X
X
High Z
SRAM Write
2
X
V
IH
X
X
High Z
NOTES:
1.
F-CE# and S-CS
# and S-CS
2
should not be asserted at the same time. Flash device cannot be accessed while SRAM is
in data retention mode.
X must be V
IL
, V
IH
for control balls and addresses.
See DC Characteristics for V
PPLK
, V
PP1
, V
PP2
, V
PP3
, voltages.
Table 5 describes valid Input Data (D
IN
) during a flash command sequence.
F-RP# must be at GND ± 0.2 V to meet the maximum deep power-down current specified.
2.
3.
4.
5.
Table 3. SRAM Operating Mode
(1)
Mode
Note
S-CS
1
#
S-CS
2
S-OE#
S-WE#
S-UB#
S-LB#
DQ
0-15
Flash Read
2,3,5
V
IH
V
IL
X
X
X
X
High Z
Flash Output Disable
2,5
V
IH
V
IL
X
X
X
X
High Z
Flash Write
4
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
X
X
High Z
Flash Standby
2,5
V
IH
X
X
X
X
X
High Z
SRAM Read
2
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
X
X
D
OUT
SRAM Output Disable
2
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
X
X
High Z
SRAM Write
2
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
X
X
D
IN
SRAM Standby
2
V
IH
X
X
X
X
X
High Z
SRAM Standby
2
X
V
IL
X
X
X
X
High Z
SRAM Standby
2
X
X
X
X
V
IH
V
IH
High Z
NOTES:
1.
F-CE# and S-CS
# and S-CS
2
should not be asserted at the same time. Flash device cannot be accessed while SRAM is
in data retention mode.
X must be V
IL
, V
IH
for control balls and addresses.
See DC Characteristics for V
PPLK
, V
PP1
, V
PP2
, V
PP3
, voltages.
Table 5 describes valid Input Data (D
IN
) during a flash command sequence.
SRAM can be placed in standby by asserting S-CS
1
# to V
IH
or S-CS
2
to V
IL
.
2.
3.
4.
5.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F1604C3 | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| 28F160C18 | 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F800C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160S3 | 3 V FlashFile Memory(3 V FlashFile 存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F3204W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F320B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F320C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| 28F320J3D75 | 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F320J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY 32 AND 64 MBIT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。