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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F3204C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級(jí)堆芯片封裝存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 3伏高級(jí)堆疊芯片級(jí)封裝存儲(chǔ)器（3V的高級(jí)堆芯片封裝存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/62頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 538K |
| 代理商： | 28F3204C3 |
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E
9.7
28F1602C3, 28F3204C3
29
PRODUCT PREVIEW
Flash Erase and Program Timings
(1)
F-V
PP
1.65 V
–3.3 V
11.4 V–12.6 V
Symbol
Parameter
Note
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
Unit
t
BWPB
8-KB Parameter Block
Program Time (Byte)
2, 3
0.16
0.48
0.08
0.24
s
4-KW Parameter Block
Program Time (Word)
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
64-KB Main Block
Program Time (Byte)
2, 3
1.2
3.7
0.6
1.7
s
32-KW Main Block
Program Time(Word)
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Byte Program Time
2, 3
17
165
8
185
μs
Word Program Time
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
8-KB Parameter Block
Erase Time (Byte)
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
4-KW Parameter Block
Erase Time (Word)
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
64-KB Main Block
Erase Time (Byte)
2, 3
1
5
0.6
5
s
32-KW Main Block
Erase Time (Word)
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
3
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
3
5
20
5
20
μs
NOTES:
1.
2.
3.
Typical values measured at T
A
=
+25 °C and nominal voltages.
Excludes external system-level overhead.
Sampled, but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| 28F320J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY 32 AND 64 MBIT |
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