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參數(shù)資料
| 型號： | MC916X1CTH16B1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 16.78 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP120 |
| 封裝： | QFP-120 |
| 文件頁數(shù)： | 77/172頁 |
| 文件大?。?/td> | 1200K |
| 代理商： | MC916X1CTH16B1 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁當(dāng)前第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁
MOTOROLA
MC68HC916X1
168
MC68HC916X1TS/D
1. VFPE must not be raised to programming voltage while VDD is below specified minimum value. VFPE
must not be reduced below minimum specified value while VDD is applied.
2. Current parameters apply to each individual EEPROM module.
3. Without margin.
4. At 100% margin, the number of margin pulses required is the same as the number of pulses used to
program the byte or word.
5. Parameter measured from end of write cycle that clears STOP bit in FEEMCR.
1. Number of program-erase cycles (1 to 0, 0 to 1) per bit.
2. Parameter based on accelerated-life testing with standard test pattern.
Table 86 BEFLASH/Flash EEPROM Module Specifications
Num
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
1
Program/Erase Supply Voltage1
Read Operation
Program/Erase/Verify Operation
VFPE
VDD – 0.5
11.4
5.5
12.6
V
2
Program/Erase Supply Current2
Read Operation
Program/Erase/Verify Operation
Verify (ENPE = 0)
Program Byte (ENPE = 1)
Program Word (ENPE = 1)
Erase (ENPE = 1)
IFPE
—
15
50
15
30
4
A
mA
3
Program Recovery Time
tpr
—
3
cycles
4
Program Pulse Width
pwpp
20
25
A
5
Number of Program Pulses3
npp
—50—
6
Program Margin4
pm
100
—
%
7
Number of Erase Pulses3
nep
—5—
8
Erase Pulse Time
tepk
—
tei × k
ms
9
Amount to Increment tep
tei
90
110
ms
10
Erase Margin
em
—nep
Σ t
ei × k
k = 1
ms
11
Erase Recovery Time
ter
1—
ms
12
Low-Power Stop Recovery Time5
tsb
1—
A
Table 87 BEFLASH/Flash EEPROM Module Life
Num
Parameter
Symbol
Value
Unit
1
Program-Erase Endurance1
epe
100
cyc
2
Data Retention2
rd
10
yr
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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PDF描述 |
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