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參數(shù)資料
| 型號： | M34571G4 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | SINGLE-CHIP 4-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| 中文描述： | 單芯片4位微機(jī)的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 122/126頁 |
| 文件大?。?/td> | 1627K |
| 代理商： | M34571G4 |
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Rev.1.02
REJ03B0179-0102
May 25, 2007
Page 122 of 124
4571 Group
Electrical characteristics
Note 1.The voltage drop detection circuit operation current (I
RST
) is added.
Table 28 Electrical characteristics 1 (Ta = –20
°
C to 85
°
C, V
DD
= 1.8 to 5.5 V, unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Test conditions
Limits
Typ.
Unit
Min.
3
4.1
2.1
2.4
3
4.1
2.1
2.4
Max.
V
OH
“H” level output voltage
P3, D
0
–
D
4
CNTR0
V
DD
= 5V
I
OH
=
10mA
I
OH
=
3mA
I
OH
=
5mA
I
OH
1mA
I
OL
=
20mA
I
OL
=
6mA
I
OL
=
10mA
I
OL
=
3mA
I
OL
= 15mA
I
OL
= 5mA
I
OL
= 9mA
I
OL
= 3mA
V
V
DD
= 3V
V
OH
“H” level output voltage
C
CNTR1
V
DD
= 5V
V
V
DD
= 3V
V
OL
“L” level output voltage
P0, P1, P2, P3, D
0
–
D
4
RESET, C, CNTR0, CNTR1
V
DD
= 5V
2
V
0.9
1.4
0.9
2
V
DD
= 3V
I
IH
“H” level input current
P0, P1, P2, P3, D
0
–
D
4
, K
RESET, INT0, INT1
CNTR0
P0, P1, P2, P3, D
0
–
D
4
, K
RESET, INT0, INT1
CNTR0
P0, P1, P2
RESET
V
I
= V
DD
μ
A
I
IL
“L” level input current
V
I
= 0V
P0, P1, P2
No pull-up
V
I
= 0V
2
μ
A
R
PU
Pull-up resistor value
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
30
50
60
120
1
0.4
0.2
0.2
1.2
1.3
1.6
2.2
0.3
0.4
0.6
0.8
0.1
125
250
k
V
T+
V
T
Hysteresis
RESET, INT0, INT1
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
V
DD
= 5V
f(X
IN
) = 6MHz
f(RING) = stop
V
V
T+
V
T
Hysteresis
CNTR0
V
I
DD
Supply current
at active mode
(with a ceramic resonator)
(Note 1)
f(STCK) = f(X
IN
)/8
f(STCK) = f(X
IN
)/4
f(STCK) = f(X
IN
)/2
f(STCK) = f(X
IN
)
f(STCK) = f(X
IN
)/8
f(STCK) = f(X
IN
)/4
f(STCK) = f(X
IN
)/2
f(STCK) = f(X
IN
)
2.4
2.6
3.2
4.4
0.6
0.8
1.2
1.6
3
10
6
mA
V
DD
= 3V
f(X
IN
) = 4MHz
f(RING) = stop
mA
at RAM back-up mode
(POF instruction execution)
Ta = 25
°
C
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
μ
A
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