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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R8000B0ZAQE |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA88 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88 |
| 文件頁數(shù)： | 25/83頁 |
| 文件大小： | 1569K |
| 代理商： | M30L0R8000B0ZAQE |
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Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
31/83
M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
Figure 6. X-Latency and Data Output Configuration Example
Note: 1. The settings shown are X-latency = 4, Data Output held for one clock cycle.
Ai11050
A23-A0
VALID ADDRESS
K
L
DQ15-DQ0
VALID DATA
X-latency
VALID DATA
tK
tQVK_CPU
tKQV
1st cycle
2nd cycle
3rd cycle
4th cycle
E
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0T8000B0ZAQE | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA88 |
| M31002AMLJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, LVDS OUTPUT |
| M31016AUMJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, CMOS OUTPUT |
| M31002AGMJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, CMOS OUTPUT |
| M31002BMMJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, CMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30L0R8000B0ZAQF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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