- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296349 > M30L0R8000B0ZAQE (STMICROELECTRONICS) 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA88 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R8000B0ZAQE |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA88 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88 |
| 文件頁數(shù)： | 70/83頁 |
| 文件大小： | 1569K |
| 代理商： | M30L0R8000B0ZAQE |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁當(dāng)前第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
72/83
Figure 23. Block Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase operations.
2. Any address within the bank can equally be used.
Write 20h (2)
AI10593
Start
Write Block
Address & D0h
Read Status
Register (2)
YES
NO
SR7 = 1
YES
NO
SR3 = 0
YES
SR4, SR5 = 1
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error (1)
NO
SR5 = 0
Erase Error (1)
End
YES
NO
SR1 = 0
Erase to Protected
Block Error (1)
YES
erase_command ( blockToErase ) {
writeToFlash (blockToErase, 0x20) ;
/*see note (2) */
writeToFlash (blockToErase, 0xD0) ;
/* only A14-A23 are significant */
/* Memory enters read status state after
the Erase Command */
} while (status_register.SR7== 0) ;
do {
status_register=readFlash (blockToErase) ;
/* see note (2) */
/* E or G must be toggled*/
if (status_register.SR3==1) /*VPP invalid error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.SR4==1) && (status_register.SR5==1) )
/* command sequence error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.SR1==1) /*program to protect block error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.SR5==1) )
/* erase error */
error_handler ( ) ;
}
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0T8000B0ZAQE | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA88 |
| M31002AMLJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, LVDS OUTPUT |
| M31016AUMJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, CMOS OUTPUT |
| M31002AGMJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, CMOS OUTPUT |
| M31002BMMJ1000.000000MHZ | VCXO, CLOCK, 1000 MHz, CMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30L0R8000B0ZAQF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。