- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365400 > S29NS032JPLBFW002 (Spansion Inc.) 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29NS032JPLBFW002 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| 中文描述： | 110納米CMOS 1.8伏只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 71/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 799K |
| 代理商： | S29NS032JPLBFW002 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁當前第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁
March 22, 2006 S29NS-J_00_A10
S29NS-J
67
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Note:
Breakpoints in waveforms indicate that system may alternately read array data from the “non-busy bank” while checking the
status of the program or erase operation in the “busy” bank. The system should read status twice to ensure valid information
.
Figure 24. Back-to-Back Read/Write Cycle Timings
OE#
CE#
WE#
t
OEH
A/DQ15
–
A/DQ0
Am
a
x
–
A16
AVD#
PD/30h
PA/
S
A
AAh
555h
RA
PA/
S
A
t
WC
t
D
S
t
DH
t
RC
t
RC
t
OE
t
OEH
t
A
S
t
AH
t
ACC
t
WP
t
GHWL
t
OEZ
t
WC
t
S
R/W
L
as
t Cycle in
Progr
a
m or
S
ector Er
as
e
Comm
a
nd
S
e
qu
ence
Re
a
d
s
t
a
t
us
(
a
t le
as
t two cycle
s
) in
sa
me
ba
nk
a
nd/or
a
rr
a
y d
a
t
a
from other
ba
nk
Begin
a
nother
write or progr
a
m
comm
a
nd
s
e
qu
ence
RD
RA
RA
RA
RD
t
WPH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29NS032JPLBFW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW002 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS064J0LBAW00 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29NS032JPLBFW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS064J0LBAW00 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。