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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29NS032JPLBFW002 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| 中文描述： | 110納米CMOS 1.8伏只有同時(shí)讀/寫(xiě)，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/85頁(yè) |
| 文件大小： | 799K |
| 代理商： | S29NS032JPLBFW002 |
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S29NS-J
S29NS-J_00_A10 March 22, 2006
D a t a S h e e t
Figure 3. Data# Polling Algorithm
DQ7 = D
a
t
a
Ye
s
No
No
DQ5 = 1
No
Ye
s
Ye
s
FAIL
PA
SS
Re
a
d DQ7–DQ0
Addr = VA
Re
a
d DQ7–DQ0
Addr = VA
DQ7 = D
a
t
a
S
TART
Notes:
1.
VA = Valid Address for programming. During a sector erase
operation, a valid address is any sector address within the
sector being erased. During chip erase, a valid address is any
non-protected sector address.
2.
DQ7 should be rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may
change simultaneously with DQ5.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29NS032JPLBFW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW002 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS064J0LBAW00 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29NS032JPLBFW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
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