- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365400 > S29NS032JPLBFW002 (Spansion Inc.) 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29NS032JPLBFW002 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| 中文描述： | 110納米CMOS 1.8伏只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 64/85頁 |
| 文件大小： | 799K |
| 代理商： | S29NS032JPLBFW002 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁當(dāng)前第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁
60
S29NS-J
S29NS-J_00_A10 March 22, 2006
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the
“Erase and Programming Performance”
section for more information.
3. Does not include the preprogramming time.
Parameter
Description
0P
(66 MHz)
0L
(54 MHz)
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (
Note 1
)
Min
45
80
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
4
5
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
6
7
ns
t
AVDP
AVD# Low Time
Min
11
12
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
45
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
Typ
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Typ
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Typ
0
ns
t
WLWH
t
WP
/t
WRL
Write Pulse Width
Typ
25
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Typ
20
30
ns
t
SR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
t
Acc
A
cc
Rise and Fall Time
A
cc
Setup Time (During Accelerated Programming)
V
CC
Setup Time
Sector Erase Accept Time-out
Min
500
ns
t
VPS
Min
1
μs
t
VCS
Min
50
μs
t
SEA
Max
50
μs
t
ESL
t
ASP
t
PSP
Erase Suspend Latency
Max
35
μs
Toggle Time During Sector Protection
Typ
100
μs
Toggle Time During Programming Within a Prot
Typ
1
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29NS032JPLBFW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW000 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW002 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW003 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS064J0LBAW00 | 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29NS032JPLBFW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS032JPLBJW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
| S29NS064J0LBAW00 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。