- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365394 > S29GL128N10TAIV13 (SPANSION LLC) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128N10TAIV13 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | MO-142BEC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 1/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N10TAIV13 |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁
Publication Number
S29GL-N_00
Revision
B
Amendment
3
Issue Date
October 13, 2006
S29GL-N
MirrorBit Flash Family
S29GL512N, S29GL256N, S29GL128N
512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit,
3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring
110 nm MirrorBit Process Technology
Data Sheet
Notice to Readers:
This document states the current technical specifications
regarding the Spansion product(s) described herein. Spansion Inc. deems the
products to have been in sufficient production volume such that subsequent
versions of this document are not expected to change. However, typographical
or specification corrections, or modifications to the valid combinations offered
may occur.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N10TAIV20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10TAIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10TAIV23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10TFI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10TFI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:100ns 訪問時(shí)間:100ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
| S29GL128N10TFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL128N10TFI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N11FAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL128N11FAI023 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。