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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT41J128M16HA-107:D |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 204/210頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 12448K |
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Table 57: Electrical Characteristics and AC Operating Conditions for Speed Extensions (Continued)
Notes 1–8 apply to the entire table
Parameter
Symbol
DDR3-1866
Units
Notes
Min
Max
Asynchronous RTT turn-off delay
(power-down with DLL off)
tAOFPD
MIN = 2; MAX = 8.5
ns
ODT HIGH time with WRITE command and BL8
ODTH8
MIN = 6; MAX = n/a
CK
ODT HIGH time without WRITE command or with WRITE command and
BC4
ODTH4
MIN = 4; MAX = n/a
CK
Dynamic ODT Timing
RTT,nom-to-RTT(WR) change skew
ODTLcnw
WL - 2CK
CK
RTT(WR)-to-RTT,nom change skew - BC4
ODTLcnw4
4CK + ODTL off
CK
RTT(WR)-to-RTT,nom change skew - BL8
ODTLcnw8
6CK + ODTL off
CK
RTT dynamic change skew
tADC
0.3 0.7
CK
Write Leveling Timing
First DQS, DQS# rising edge
tWLMRD
40
–
CK
DQS, DQS# delay
tWLDQSEN
25
–
CK
Write leveling setup from rising CK, CK#
crossing to rising DQS, DQS# crossing
tWLS
140
–
ps
Write leveling hold from rising DQS, DQS#
crossing to rising CK, CK# crossing
tWLH
140
–
ps
Write leveling output delay
tWLO
0
7.5
ns
Write leveling output error
tWLOE
0
2
ns
2Gb:
x4,
x8,
x16
DDR3
SDRAM
Electrical
Characteristics
and
AC
Operating
Conditions
PDF:
09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf
–
Rev.
K
04/10
EN
93
Micron
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2006
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